单晶硅缺陷的分析
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17 2019-11-28 11:05:25高效叠焊组件的技术发展与市场前景
17 2019-11-28 10:51:31铸锭单晶——光伏竞价时代的选择
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了 薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD 测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降. 还研究了SiN
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太阳能电池材料 －－直拉单晶硅的制造工艺 1.硅材料简介 2.单晶硅 3. 区熔单晶硅 4.直拉单晶硅 5. 直拉单晶硅的生长原理和工艺 6.各项工艺步骤的特点 7.无位错生长技术特点 8.硅晶片加工 9.内圆切割机和线切割机
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单晶硅太阳能电池检验标准,EVA检验标准 钢化玻璃检验标准,TPT检验标准………
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准单晶（Mono Like ）是基于多晶铸锭的工艺，在长晶时通过部分使用单晶籽晶，获得外观 和电性能均类似单晶的多晶硅片。这种通过铸锭的方式形成单晶硅的技术，其功耗只比普通 多晶硅多 5%，所生产的单晶硅的质量接近直拉单晶硅。简单地说，这种技术就是用多晶硅的 成本，生产单晶硅的技术。
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晶体硅片切割，也叫做“硅片切割”，是太阳能光伏（PV）电池制造工艺中的关键组成部分。工艺的原料为单晶硅或多晶硅材料制成的实心硅锭。用线锯将硅锭裁成方块，然后再切割成很薄的硅片。这些晶体硅片被用作制造光伏电池的基底。因为硅片的成本占晶体硅组件总成本的50%以上，降低制造成本对于实现让太阳能与传统电网相比具有竞争性的目标来说至关重要。
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晶体硅片切割，也叫做“硅片切割”，是太阳能光伏（PV）电池制造工艺中的关键组成部分。工艺的原料为单晶硅或多晶硅材料制成的实心硅锭。用线锯将硅锭裁成方块，然后再切割成很薄的硅片。这些晶体硅片被用作制造光伏电池的基底。因为硅片的成本占晶体硅组件总成本的50%以上，降低制造成本对于实现让太阳能与传统电网相比具有竞争性的目标来说至关重要。
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晶体硅片切割，也叫做“晶片切割”，是太阳能光伏（PV）电池制造工艺中的关键组成部分。工艺的原料为单晶硅或多晶硅材料制成的硅锭。用线锯将硅锭裁成方块，然后再切割成很薄的硅片 。这些晶体硅片就是制造光伏电池的基板。
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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN 薄膜的退火特性. 通过椭圆偏振光仪测量了薄膜厚度和薄膜的折射率,发现退火后薄膜的厚度下降,折射率升高; 采用准稳态光电导衰减QSSPCD 测少数载流子寿命,发现少子寿命有很大程度的下降. 还研究了SiN
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多晶硅片是由很多不同的单晶硅组成，各单晶晶粒晶向不同，形状也不规则。同一晶粒内部原子排列呈周期性和有序性。多晶硅与单晶硅的主要区别是不同晶向的晶粒间存在晶界。晶粒间结构复杂，硅原子无序排列，可能存在深能级缺陷的杂质。
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2009年，日本太阳能电池总出货量为1,387,025kW，其中国内总出货量为483,960kW，出口903,065kW，占总出货量65.1%，大大低于上年同期出口比重。按材料分类来看，单晶硅电池出货478,174kW，多晶硅电池出货734,721kW，合1,212,895kW；薄膜电池出货量为144,693kW，其他电池出货量为29,437kW。各种材料电池出货量比重分别为：单晶硅占34.5%，
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根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子，建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。
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报道了采用局部背接触结构的激光刻槽埋栅太阳电池的研究结果。模拟分析了局部背接触结构的作用, 设计了合理的电池结构。通过工艺优化,得到了转换效率达到17. 28 %(大气质量AM = 1. 5 G,VOC = 650. 4 mV ,JSC = 33. 15 mA/ cm2 , FF= 0. 8014 ,电池面积为4 cm2 )的太阳电池。
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本文以单晶硅pn结太阳能电池为例， 介绍半导体太阳能电池的基本工作原理、 结构及其特性分析。
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